14 Unterschied zwischen BJT und FET (mit Vergleichstabelle)

Was ist BJT (Bipolar-Junction-Transistor)?

Ein Bipolartransistor (BJT) ist ein elektronisches Gerät mit drei Anschlüssen, das den Stromfluss verstärkt. Die Bipolartransistoren werden gebildet, indem entweder eine n-Typ- oder eine p-Typ-Halbleiterschicht zwischen Paaren von Halbleiterschichten mit entgegengesetzter Polarität angeordnet wird. Beim Bipolartransistor (BJT) wird elektrischer Strom sowohl durch freie Elektronen als auch durch Löcher geleitet. Im Gegensatz zu einer normalen PN-Übergangsdiode hat der Transistor zwei pn-Übergänge.

BJT bestehen aus drei Anschlüssen, nämlich Emitter, Basis und Kollektor, die jeweils mit E , B und C bezeichnet werden. Der Emitter (E)-Abschnitt ist stark dotiert, damit er viele Ladungsträger in die Basis injizieren kann. Der Basisabschnitt (B) ist leicht dotiert und im Vergleich zu Emitter und Kollektor sehr dünn. Andererseits ist der Kollektorabschnitt (C) mäßig dotiert, seine Hauptfunktion besteht darin, Ladungsträger zu sammeln.

Bipolartransistoren werden hauptsächlich zum Schalten und Verstärken verwendet. Die verschiedenen Anwendungen von Bipolartransistoren umfassen:

• Funksender
• Audioverstärker
• Fernseher
• Computers
• Mobiltelefone

Arten von Bipolar-Junction-Transistor (BJT)

Bipolartransistoren werden aufgrund ihres Aufbaus in zwei Typen eingeteilt. Sie beinhalten:

• NPN-Transistor – Bei diesem Transistor ist eine einzelne Halbleiterschicht vom p-Typ zwischen zwei Halbleiterschichten vom n-Typ eingebettet.
• PNP-Transistor – Bei diesem Transistor ist eine einzelne Halbleiterschicht vom n-Typ zwischen zwei Halbleiterschichten vom p-Typ eingebettet.

Was Sie über Bipolar-Junction-Transistor (BJT) wissen müssen

1. Bipolar-Junction-Transistoren sind bipolare Bauelemente, in denen sowohl Majoritäts- als auch Minoritätsladungsträger fließen.  
2. BJT bestehen aus drei Anschlüssen, nämlich Emitter, Basis und Kollektor, die jeweils mit E, B und C bezeichnet werden.
3. BJTs sind stromgesteuert. Sie benötigen zum Betrieb einen Vorspannungsstrom zum Basisanschluss.
4. Die Eingangsschaltung des BJT ist in Vorwärtsrichtung vorgespannt und hat daher eine niedrige Eingangsimpedanz. Dies bedeutet, dass sie mehr Leistung in den Stromkreis ziehen, was zu einer Belastung des Stromkreises führt.
5. Beim BJT steuert der Basisstrom den Ausgangsstrom.
6. BJT hat einen lauteren Betrieb.
7. BJT hat bei hohen Stromstärken einen positiven Temperaturkoeffizienten. Es führt zu einem thermischen Zusammenbruch.
8. BJT leidet an Minoritätsträgerspeichereffekten und hat daher eine niedrigere Schaltgeschwindigkeit und Grenzfrequenzen.
9. BJTs sind größer und benötigen daher normalerweise mehr Platz als FETs.
10. BJT werden am meisten bevorzugt während der Anwendung von niedrigem Strom.
11. Im BJT wird die Beziehung zwischen Input und Output als linear betrachtet.
12. BJTs sind billiger in der Herstellung.
13. Aufgrund der Verringerung der Lebensdauer der Minoritätsträger wird die Leistung von BJT durch Neutronenstrahlung verschlechtert.
14. BJTs sind weniger beliebt und werden seltener verwendet.

Was ist FET (Feldeffekttransistor)?

Der Feldeffekttransistor (FET) ist eine Art Transistor, der ein elektrisches Feld verwendet, um den Stromfluss zu steuern. Sie werden allgemein als unipolare Transistoren bezeichnet, weil sie einen Einzelträger-Betrieb aufweisen, dh sie verwenden bei ihrem Betrieb Elektronen oder Löcher als Ladungsträger, aber nicht beides. FET wird häufig zur Verstärkung schwacher Signale verwendet, beispielsweise zur Verstärkung von drahtlosen Signalen. Das Gerät kann analoge oder digitale Signale verstärken. Es kann auch Gleichstrom schalten oder als Oszillator fungieren.

Außerdem können Feldeffekttransistoren viel kleiner gemacht werden als ein äquivalenter BJT-Transistor und zusammen mit ihrem geringen Stromverbrauch und ihrer geringen Verlustleistung sind sie ideal für den Einsatz in integrierten Schaltungen wie der CMOS-Reihe digitaler Logikchips.

FET ist ein Gerät mit drei Anschlüssen, das ohne PN-Übergänge innerhalb des Hauptstrompfads zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen aufgebaut ist. Diese mit S, D bzw. G bezeichneten Anschlüsse -Source, Drain und Gate entsprechen in ihrer Funktion dem Emitter, der Basis und dem Kollektor des Bipolartransistors. Der Strompfad zwischen diesen beiden Anschlüssen wird als “Kanal” bezeichnet, der entweder aus einem P-Typ- oder einem N-Typ-Halbleitermaterial bestehen kann.

Es gibt zwei Haupttypen von Feldeffekttransistoren, nämlich:

• Der Junction-Feldeffekttransistor (JFET).
• Der Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (IGFET), der häufiger als Standard-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) bezeichnet wird.

Was Sie über Feldeffekttransistoren (FET) wissen müssen

1. Feldeffekttransistoren sind unipolare Bauelemente, in denen nur die Majoritätsträger fließen.
2. FET besteht aus drei Anschlüssen, nämlich Source, Drain und Gate, die jeweils mit S, D und G bezeichnet sind.
3. FETs sind spannungsgesteuert. Sie benötigen nur eine an die Tür angelegte Spannung, um den FET zu aktivieren oder zu deaktivieren.
4. Die Eingangsschaltung des FET ist umgekehrt vorgespannt und daher weist der FET eine relativ höhere Impedanz auf. Das bedeutet, dass sie praktisch keine Energie verbrauchen und somit den Stromkreis, der sie speist, nicht überlasten.
5. Beim FET steuert die Gate-Spannung den Ausgangsstrom.
6. FET ist im Vergleich zu BJT weniger laut. Es ist eher für Eingangsstufen von Low-Level-Verstärkern geeignet.
7. FET hat bei hohen Stromstärken einen negativen Temperaturkoeffizienten. Es verhindert ein thermisches Durchbruchproblem des FET.
8. FET leidet nicht unter Minoritätsträgerspeichereffekten und hat daher eine höhere Schaltgeschwindigkeit und Grenzfrequenzen.
9. FETs sind relativ kleiner, insbesondere im Fall von integrierten Schaltungen, die aus vielen Transistoren bestehen.
10. FETs werden am meisten bevorzugt während der Anwendung von hohem Strom.
11. Beim FET wird die Beziehung zwischen Eingang und Ausgang als nichtlinear betrachtet.
12. FETs sind relativ teuer in der Herstellung.
13. Der FET-Betrieb hängt nicht von den Minoritätsträgern ab und können daher ein viel höheres Strahlungsniveau tolerieren.
14. FETs sind weltweit beliebter und die meisten aktuellen Anwendungen oder Geräte verwenden FETs.

Lesen Sie auch : Unterschied zwischen JFET und MOSFET

Unterschied zwischen BJT und FET in Tabellenform

VERGLEICHSGRUNDLAGE	BJT	FET
Beschreibung	Bipolar-Junction-Transistoren sind bipolare Bauelemente, in denen sowohl Majoritäts- als auch Minoritätsladungsträger fließen.	Feldeffekttransistoren sind unipolare Bauelemente, in denen nur die Majoritätsträger fließen.
Anschlüsse	Es besteht aus drei Anschlüssen, nämlich Emitter, Basis und Kollektor, die jeweils mit E, B und C bezeichnet sind.	Es besteht aus drei Anschlüssen, nämlich Source, Drain und Gate, die jeweils mit S, D und G bezeichnet sind.
Funktionalität	BJTs sind stromgesteuert. Sie benötigen zum Betrieb einen Vorspannungsstrom zum Basisanschluss.	FETs sind spannungsgesteuert. Sie benötigen nur eine an die Tür angelegte Spannung, um den FET zu aktivieren oder zu deaktivieren.
Impedanz	Die Eingangsschaltung des BJT ist in Vorwärtsrichtung vorgespannt und hat daher eine niedrige Eingangsimpedanz.	Die Eingangsschaltung des FET ist umgekehrt vorgespannt und daher weist der FET eine relativ höhere Impedanz auf.
Ausgangsstromsteuerung	Der Basisstrom steuert den Ausgangsstrom.	Die Gatespannung steuert den Ausgangsstrom.
Lärm	BJT hat einen lauteren Betrieb.	FET ist im Vergleich zu BJT weniger laut.
Temperaturkoeffizient	BJT hat bei hohen Stromstärken einen positiven Temperaturkoeffizienten.	FET hat bei hohen Stromstärken einen negativen Temperaturkoeffizienten.
Schaltgeschwindigkeit & Cut-off-Frequenzen	Es hat eine niedrigere Schaltgeschwindigkeit und Grenzfrequenzen.	Es hat eine höhere Schaltgeschwindigkeit und Grenzfrequenzen.
Größe	BJTs sind größer und benötigen daher normalerweise mehr Platz als FETs.	FETs sind relativ kleiner, insbesondere im Fall von integrierten Schaltungen, die aus vielen Transistoren bestehen.
Eignung	BJT werden am meisten bevorzugt während der Anwendung von niedrigem Strom.	FETs werden am meisten bevorzugt während der Anwendung von hohem Strom.
Beziehung zwischen Eingabe und Ausgabe	Im BJT wird die Beziehung zwischen Input und Output als linear betrachtet.	Beim FET wird die Beziehung zwischen Eingang und Ausgang als nichtlinear betrachtet.
Kosten	BJTs sind billiger in der Herstellung.	FETs sind relativ teuer in der Herstellung.
Wirkung der Strahlung	Aufgrund der Verringerung der Lebensdauer der Minoritätsträger wird die Leistung von BJT durch Neutronenstrahlung verschlechtert.	Der FET-Betrieb hängt nicht von den Minoritätsträgern ab und können daher ein viel höheres Strahlungsniveau tolerieren.
Verwendungszweck	BJTs sind weniger beliebt und werden seltener verwendet.	FETs sind weltweit beliebter und die meisten aktuellen Anwendungen oder Geräte verwenden FETs.