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10 Unterschied zwischen P-Typ und N-Typ Halbleiter

P-Typ und N – Typ – Halbleiter sind beide Klassifizierung von extrinsischen Halbleiter. Der Hauptfaktor, der einen Unterschied zwischen p-Typ- und n-Typ-Halbleitern erzeugt, ist das Material, das beim Dotieren des intrinsischen Halbleiters (reiner Leiter) verwendet wird.

Das Halbleitermaterial vom n-Typ wird durch Hinzufügen von Elementen der Gruppe V (fünfwertige Verunreinigung) zu einem reinen intrinsischen Halbleiter) gebildet. Beispiele für fünfwertige Verunreinigungen umfassen Arsen, Antimon, Phosphor, Wismut usw. Andererseits wird ein Halbleitermaterial vom p-Typ durch Zugabe von Elementen der Gruppe III, die im Volksmund als dreiwertige Verunreinigungen bezeichnet werden, zu einem reinen Halbleiter gebildet. Beispiele für dreiwertige Verunreinigung umfassen Aluminium, Gallium und Indium .

Hauptunterschied

Ein Halbleiter vom p-Typ wird gebildet, wenn Elemente der Gruppe III des Periodensystems mit einem reinen Halbleitermaterial dotiert werden, während ein Halbleiter vom n-Typ gebildet wird, wenn Elemente der Gruppe V des Periodensystems mit einem intrinsischen Halbleiter dotiert werden.
Dreiwertige Fremdatome wie Aluminium, Gallium und Indium werden im p-Typ-Halbleiter hinzugefügt, während in n-Typ-Halbleitern fünfwertige Fremdatome wie Arsen, Antimon, Phosphor, Wismut usw. hinzugefügt werden.
Die in Halbleitern vom p-Typ hinzugefügte Verunreinigung stellt Löcher bereit, die als Akzeptoratom bezeichnet werden, während die Verunreinigung in Halbleitern vom n-Typ zusätzliche Elektronen bereitstellt, die als Donoratom bezeichnet werden.
In einem Halbleiter vom p-Typ sind die Majoritätsträger Löcher und die Minoritätsträger sind Elektronen, während im n-Typ-Halbleiter Elektronen Majoritätsträger und Löcher Minoritätsträger sind.
Im p-Typ-Halbleiter liegt das Akzeptor-Energieniveau nahe am Valenzband und weg vom Leitungsband. Andererseits liegt in einem Halbleiter vom n-Typ das Donorenergieniveau nahe dem Leitungsband und weg vom Valenzband.
Beim p-Typ ist aufgrund des Majoritätsträgereinflusses die Dichte der Löcher vergleichsweise größer als die der Elektronen. Beim n-Typ, da die Mehrheit der Ladungsträger Elektronen sind; die Dichte der Elektronen ist vergleichsweise größer als die der Löcher.
Das Fermi-Niveau des p-Typ-Halbleiters liegt zwischen dem Akzeptor-Energieniveau und dem Valenzband, während das Fermi-Niveau des n-Typ-Halbleiters zwischen dem Donor-Energieniveau und dem Leitungsband liegt.
Beim p-Typ kann die Hauptkonzentration der Trägerbewegung von einem höheren Konzentrationsniveau zu einem niedrigeren Konzentrationsniveau beobachtet werden. Auf der anderen Seite kann der größte Teil der Bewegung des Trägers von einer niedrigeren Ebene zu einer höheren Ebene gesehen werden.
Bei Halbleitern vom p-Typ ist die Konzentration von Löchern hoch und daher trägt der p-Typ die positive Ladung. Andererseits sind beim n-Typ die Elektronen Majoritätsträger, daher trägt der n-Typ vorzugsweise eine negative Ladung.
Die Konzentration von Löchern ist in p-Typ-Halbleitern höher, während die Konzentration von Elektronen mehr in n-Typ-Halbleitern ist.

Lesen Sie auch : Unterschied zwischen intrinsischen und extrinsischen Halbleitern

Unterschied zwischen P-Typ- und N-Typ-Halbleiter in Tabellenform

VERGLEICHSGRUNDLAGE	P-TYP HALBLEITER	N-TYP HALBLEITER
Beschreibung	Ein Halbleiter vom p-Typ wird gebildet, wenn Elemente der Gruppe III des Periodensystems mit einem reinen Halbleitermaterial dotiert werden.	Ein Halbleiter vom n-Typ wird gebildet, wenn Elemente der Gruppe V der Periodentabelle mit einem intrinsischen Halbleiter dotiert werden.
Verunreinigungen	Dreiwertige Verunreinigungen wie Aluminium, Gallium und Indium werden dem p-Typ-Halbleiter hinzugefügt.	Halbleiter vom N-Typ, fünfwertige Verunreinigung wie Arsen, Antimon, Phosphor, Wismut usw. werden hinzugefügt.
Elektronen & Löcher	Die hinzugefügte Verunreinigung stellt Löcher bereit, die als Akzeptoratom bezeichnet werden.	Verunreinigung liefert zusätzliche Elektronen, die als Donoratom bezeichnet werden.
Mehrheits- und Minderheitsgebührenträger	Die Majoritätsträger sind Löcher und Minoritätsträger sind Elektronen.	Elektronen sind Majoritätsträger und Löcher sind Minoritätsträger.
Energielevel	Das Akzeptor-Energieniveau liegt nahe dem Valenzband und vom Leitungsband entfernt.	Das Donorenergieniveau liegt nahe dem Leitungsband und vom Valenzband entfernt.
Dichte von Löchern und Elektronen	Aufgrund des Majoritätsträgereinflusses ist die Dichte der Löcher vergleichsweise größer als die der Elektronen.	Angesichts der Tatsache, dass die Mehrheit der Ladungsträger Elektronen sind; die Dichte der Elektronen ist vergleichsweise größer als die der Löcher.
Das Fermi-Niveau	Das Fermi-Niveau des p-Halbleiters liegt zwischen dem Akzeptor-Energieniveau und dem Valenzband.	Das Fermi-Niveau des n-Typ-Halbleiters liegt zwischen dem Donor-Energieniveau und dem Leitungsband.
Konzentration der Trägerbewegung	Die Hauptkonzentration der Bewegung des Trägers kann von einem höheren Konzentrationsniveau zu einem niedrigeren Konzentrationsniveau beobachtet werden.	Der größte Teil der Bewegung des Trägers kann von einer niedrigeren Ebene zu einer höheren Ebene gesehen werden.
Aufladen	Die Konzentration der Löcher ist hoch und daher trägt der p-Typ die positive Ladung.	Die Elektronen sind Majoritätsträger; daher trägt der n-Typ vorzugsweise eine negative Ladung.
Konzentration von Elektronen und Löchern.	Die Konzentration von Löchern ist in p-Typ-Halbleitern höher.	Die Konzentration der Elektronen ist mehr im n-Typ.